Silīcija-grafīta kompozīts (saīsināts kā Si-Gr) ir litija-jonu akumulatora anoda materiāls, kas sagatavots ar nanokompozītu tehnoloģiju, izmantojot augstas -jaudas silīcija materiālus un augstas-stabilitātes grafīta materiālus. To parasti sauc arī par silīcija-oglekļa kompozītmateriālu vai silīcija-grafīta anodu. Šīs konstrukcijas pamatkoncepcija ir panākt papildu priekšrocību, saglabājot īpaši augsto teorētisko silīcija materiāla īpatnējo jaudu (4200 mAh/g, aptuveni 10 reizes vairāk nekā grafītam), vienlaikus izmantojot grafīta slāņveida struktūru un augsto vadītspēju, lai mazinātu tilpuma izplešanās problēmu silīcija izlādēšanās un izlādes laikā**, līdz **300 %. panākot līdzsvaru starp augstu enerģijas blīvumu un ilga cikla stabilitāti.
Galvenās stiprās puses
Augsts enerģijas blīvums, kas pārkāpj tradicionālā grafīta ierobežojumus
Atgriezeniskā īpatnējā jauda: līdz pat 600 - 1500 mAh/g (regulējams atbilstoši silīcija saturam), kas ir 1.5 - 4 reizes vairāk nekā tradicionālajam grafītam (372 mAh/g)
Akumulatora-līmeņa enerģijas blīvums: var palielināt litija-jonu akumulatoru enerģijas blīvumu par 30% - 50%, pārvarot 300 Wh/kg vājo vietu
Silīcija satura pielāgošana: komerciālajos produktos silīcija saturs parasti ir 10% - 40%, līdzsvarošanas spēja un stabilitāte
Strukturālā stabilitāte ir ievērojami uzlabota, novēršot silīcija materiālu trūkumus
Tilpuma izplešanās kontrole: pateicoties dubultajiem ierobežojumiem, ko rada grafīta karkass un oglekļa pārklājums, tilpuma izplešanās ātrums tiek samazināts līdz 50% - 100% (tīrs silīcijs ir aptuveni 300%).
Cikla kalpošanas laika pagarinājums: jaudas saglabāšanas rādītājs var sasniegt 80% - 95% (100 cikli), un daži augstas klases produkti{3}}var darboties vairāk nekā 500 reižu
SEI plēves stabilitāte: oglekļa pārklājums kavē atkārtotu SEI plēves veidošanos, un Kulona efektivitāte var sasniegt vairāk nekā 99%.
Vadītspējas un ātruma veiktspējas līdzsvars
Elektroniskais vadīšanas tīkls: Grafīts nodrošina nepārtrauktus vadošus kanālus, atrisinot silīcija materiālu vadītspējas problēmu (ar augstu pretestību)
Jonu transporta optimizācija: nanostruktūras saīsina litija jonu difūzijas ceļu, un ātruma veiktspēja ir labāka nekā tīriem silīcija materiāliem
Ātras uzlādes iespēja: daži produkti var stabili darboties ar strāvu no 1C līdz 3C, kas atbilst jaunu enerģijas transportlīdzekļu ātrās uzlādes prasībām.
Tipiski pielietojuma scenāriji
Saules silīcija kristālu augšana
Tradicionālo grafīta tīģeļu aizstāšana, kas piemērota izvilkšanas metodei (CZ) un zonas kausēšanas metodei (ZC), atbalsta liela -izmēra silīcija lietņu ražošanu (diametrs ir lielāks vai vienāds ar 300 mm), uzlabo fotoelektrisko elementu konversijas efektivitāti.
Augstas-temperatūras ķīmiskā tvaiku pārklāšana (CVD)
Kā materiāls reakcijas kamerām tas ir izturīgs pret oksidēšanu un koroziju augstā temperatūrā{0}}, piemērots pusvadītāju materiālu sintēzei, samazinot iekārtu apkopes biežumu.
Rūpnieciskās augstas temperatūras{0}}krāsnis
Izmanto augstas{0}}temperatūras procesos, piemēram, metalurģijā un keramikā, nodrošinot stabilu siltuma vadītspēju un izolācijas veiktspēju, pagarinot aprīkojuma kalpošanas laiku.
| Struktūras veids | Dizaina iezīmes | Veiktspējas priekšrocības | Lietojumprogrammu scenāriji |
|---|---|---|---|
| Pamata-Apvalka struktūra (Si@C@Graphite) | Nano-silīcija kodols, oglekļa bufera slānis, grafīta ārējais apvalks | Labākā skaļuma palielināšanas kontrole, lieliska riteņbraukšanas stabilitāte | EV barošanas akumulatori, augstas kvalitātes{0}}enerģijas uzglabāšana |
| Interkalēta struktūra (Si-in-grafīts) | Silīcija nanodaļiņas, kas iestrādātas starp grafīta slāņiem vai porainā grafīta karkasā | Laba vadītspēja, izcila ātruma veiktspēja | Ātri{0}}uzlādējami akumulatori, plaša patēriņa elektronika |
| Pārklāta struktūra (grafīts@Si@C) | Grafīta serde, silīcija starpslānis, oglekļa ārējais apvalks | Vienkārša ražošana, zemākas izmaksas | Vidēja{0}}zemas klases plaša patēriņa elektronika |
| 3D tīkla struktūra | Silīcija nanovadi/nanoloksnes, kas savītas ar grafītu | Izcila konstrukcijas stabilitāte, ilgs cikla mūžs | Īpaši-augstas ietilpības akumulatori militārām vajadzībām |
Kāpēc izvēlēties Jin Cheng grafīta tehnoloģiju?
Būdams galvenais piegādātājs silīcija kristāla grafīta laivu jomā, Jin Cheng uzlabo izstrādājuma izturību un siltumvadītspēju, izmantojot patentētu kompozītmateriālu tehnoloģiju (CN2023XXXXXX), atbilst ISO 9001 kvalitātes sistēmai un ES CE sertifikātam, lai nodrošinātu produkta stabilitāti. Salīdzinot ar līdzīgiem produktiem, Jin Cheng grafīta laivu temperatūras izturība ir palielinājusies par 20%, kristāla augšanas cikls ir saīsināts par 15%, klientu atsauksmes liecina, ka iekārtu enerģijas patēriņš ir samazinājies par 25% un ražošanas izmaksas ir samazinājušās par 30%.
| Veiktspējas indekss | Tipisks diapazons | Augsts{0}}produkta līmenis | Salīdzinājums ar tradicionālo grafītu |
|---|---|---|---|
| Atgriezeniskā īpatnējā jauda | 600–1500 mAh/g | 1800–2000 mAh/g | 372 mAh/g (+1.5~4x) |
| Sākotnējā kuloniskā efektivitāte | 85%~92% | 93%~95% | 90% ~ 95% (līdzīgi) |
| Jaudas saglabāšana (100 cikli) | 80%~90% | 92%~96% | 95% ~ 98% (nedaudz zemāk) |
| Skaļuma paplašināšanās ātrums | 50%~100% | 30%~50% | Mazāks par vai vienāds ar 10% (augstāks) |
| Likmes veiktspēja (3 C/0,1 C) | 60%~80% | 85%~90% | 70% ~ 90% (līdzīgi) |
| Silīcija saturs | 10%~40% | 40%~60% | 0% |
| Pieskarieties vienumam Blīvums | 1,2–1,5 g/cm³ | 1,5–1,7 g/cm³ | 1,6–1,8 g/cm³ (nedaudz zemāks) |
Rīkojieties nekavējoties
Iesniedziet savas prasības (piemēram, kristāla izmēru, temperatūras prasības, nozares pielietojumu), un mēs nodrošināsim pielāgotu silīcija kristāla grafīta laivu risinājumu (ieskaitot tehniskos parametrus, izmaksu aprēķinus un pielietojuma gadījumus) 48 stundu laikā. Globālie 30+ fotoelementu uzņēmumi ir pārbaudījuši: Jin Cheng silīcija kristāla grafīta laivu, padarot saules silīcija kristālu augšanu efektīvāku un videi draudzīgāku!
Populāri tagi: silīcija kristāla grafīts, Ķīnas silīcija kristāla grafīta ražotāji, piegādātāji, rūpnīca
