Galvenais saturs: saskaņā ar jaunāko nozares-padziļināto ziņojumu īpaši-augstas-tīrības grafīta (ultra-augstas-tīrības pakāpes grafīta) pasaules tirgus strauji pieaug. Paredzams, ka tas palielināsies no 870 miljoniem ASV dolāru 2025. gadā līdz 1,43 miljardiem ASV dolāru 2030. gadā ar salikto gada pieauguma tempu (CAGR) 10,5%. Šo pieauguma tempu galvenokārt nosaka visprogresīvākās jomas, piemēram, pusvadītāju silīcija plātņu apstrāde, saules silīcija fotoelementu ražošana un nākamās-paaudzes augstas{14}}temperatūras gāzes{15}}dzesēšanas kodolreaktori. Īpaši-augstas-tīrības grafītam parasti ir nepieciešams fiksēts oglekļa saturs, kas pārsniedz 99,999%, ar ārkārtīgi spēcīgu izturību pret augstām temperatūrām, elektrisko izolāciju (pēc īpašas apstrādes) un augstu siltumvadītspēju. Tā kā globālā mikroshēmu nozare virzās uz progresīvākiem ražošanas procesiem, pusvadītāju kristālu augšanas krāsnīs patērētajiem grafīta siltuma lauka komponentiem, bāzēm un tīģeļiem ir ārkārtīgi stingras tīrības prasības, kas ir devis ievērojamu pievienoto vērtību augstas klases grafīta apstrādes uzņēmumiem. Tomēr ziņojumā arī norādīts, ka galvenās problēmas, ar kurām pašlaik saskaras šī nozare, joprojām ir pārmērīgi augstās attīrīšanas apstrādes izmaksas un lielā tehniskā atkarība no dažiem starptautiskiem uzņēmumiem ar progresīvām termiskās ķīmiskās vai plazmas attīrīšanas tehnoloģijām (piemēram, Mersen un Toyo Tanso) Amerikas Savienotajās Valstīs, Eiropā un Japānā. Pastiprinoties tarifu politikai un ģeopolitiskajām piegādes ķēdes nesaskaņām, lokalizētas īpaši -augstas-tīrības grafīta attīrīšanas un apstrādes ķēdes izveide ir kļuvusi par galveno prioritāti dažādu valstu rūpnieciskās drošības stratēģijās.
